In对S-TiO_2纳米材料的吸附与缓释特性的调控

以固相反应法所合成的铟、硫掺杂二氧化钛纳米粉体为载体,研究了三磷酸腺苷(ATP)的吸附与缓释行为。结果表明,以TiO2为基体的纳米材料对ATP都有良好的吸附作用。40 min内,Inx-S-TiO2(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)、STiO2和TiO2纳米粉体对ATP的吸附率(%)依次为82.3、91.5、98.6、93.7、89.2、75.7和66.0。其中In0.03-S-TiO2纳米粉体的载药量比纯TiO2提高了32.6%。In的含量与其吸附ATP的量呈抛物线型。纯TiO2及In、S改性纳米材料对ATP的释放均有一定的调控作用。5.5 h内,其释药百分比分别为In0.01-S-TiO2(61.4%)In0.05-S-TiO2(59.23%)In0.02-S-TiO2(57.9%)In0.04-S-TiO2(55.30%)In0.03-S-TiO2(51.45%)TiO2(37.5%)S-TiO2(25.8%)。In的掺杂,对S-TiO2纳米材料缓释ATP的速率起到明显缓释控制作用。ATP的缓释过程符合骨架溶蚀扩散机理。In在ATP释放过程中的流失量很少,均不足2%。In含量的变化对微球的突释效应有一定的调控作用。     

两层钢框架结构地震振动试验研究

为了研究钢框架在地震作用下的结构反应,该文设计制作了一个两层钢框架结构模型,进行3条地震波的振动台试验,研究钢框架结构在不同等级地震波作用下的破坏形式、动力特性等力学性能.通过试验发现,钢框架在地震波作用下,整体性能保持良好;在加载的地震波加速度达到1.0g时,节点焊接处会出现明显裂缝;钢框架层间位移、层间位移角和应变随着地震波加载加速度的增加而增大;底层的层间位移角都大于顶层,表明底层受地震影响更大;钢框架各构件的拉应力和压应力呈近似对称关系.     

利用电解锰渣-废玻璃制备陶瓷砖

为了解决电解锰渣对环境的污染,提高锰渣的利用率,研究了以电解锰渣-废玻璃为主要原料制备陶瓷砖。首先利用Ca O-Al2O3-Si O2三相图获得初始配方,然后进行了大量的实验,并对产品的晶相进行分析,确定陶瓷砖的最优配方。结果证明,锰渣的添加量为32%,废玻璃含量为25%,煅烧温度为950℃,煅烧时间为30 min时,陶瓷坯的主晶相为石英、钙长石、莫来石和方石英,收缩率为0.27%,符合GB/T 4100-2006陶瓷砖的标准。     

金属掺杂二氧化钛介孔材料对葛根素的吸附行为

以葛根素为探针分子,研究了pH=4.5、初始浓度8mg/L、不同时间与温度下TiO_2及金属铝、镍、锌单掺杂TiO_2介孔材料对葛根素的吸附行为.结果表明,葛根素在该介孔材料上的吸附行为符合Freundlich等温单层吸附模型;其准一级吸附速率常数k=(0.30~0.58)×10~(-2)min~(-1),且k_(Zn-TiO_2)k_(Al-TiO_2)k_(Ni-TiO_2)k_(TiO_2).葛根素的吸附过程不仅是自发放热过程(ΔH0,ΔG0),且是分子排列有序性增加的过程(ΔS0);其ΔG值随掺杂离子半径增大而减小,吸附活化能ΔE在1.63~3.36kJ/mol之间.葛根素的平均扩散系数Dp为(1.37~2.88)×10~(-13)m~2/s.葛根素溶液中脱落的掺杂金属离子含量随吸附次数增多而减小,Ni,Al掺杂TiO_2介孔材料更适于葛根素的吸附分离.     

顶空固相微萃取气质联用分析大蒜挥发性风味成分

采用顶空固相微萃取——气相色谱-质谱联用法分别测定生、熟大蒜的挥发性风味物质,检出生大蒜挥发性风味物质共17个化合物,主要成分有二烯丙基二硫醚(61.68%)、二-2-丙烯基四硫醚(13.61%)、甲基2-丙烯基二硫醚(12.46%)、二-2-丙烯基三硫醚(3.20%)、烯丙硫醇(2.10%)、二乙基-1,3-二噻烷(1.74%)、二烯丙基硫醚(1.30%)、甲基1-丙烯基二硫醚(1.10%)共8种物质,占总含量的97.19%。检出熟大蒜挥发性风味物质共30个化合物,主要成分有二烯丙基二硫醚(32.87%)、甲基2-丙烯基二硫醚(16.47%)、二烯丙基硫醚(10.88%)、二-2-丙烯基四硫醚(5.60%)、甲基烯丙基硫醚(4.19%)、甲基2-丙烯基三硫醚(3.45%)、二-2-丙烯基三硫醚(3.06%)、二甲硫醚(3.05%)、甲基环硫乙烷(2.22%)、二乙基-1,3-二噻烷(2.18%)、甲基1-丙烯基二硫醚(1.85%)、1,3,5-三噻烷(1.83%)、苯甲醛(1.35%)、二甲基二硫醚(1.31%)、二甲基三硫醚(1.17%)共15种物质,占总含量的91.79%。     

热原子层沉积技术制备的TiAlC薄膜的性能

为了解以热原子层沉积技术制备的TiAlC薄膜的特性,在不同基底温度下,以硅和二氧化硅为基底材料制备了TiAlC薄膜;采用椭偏仪、分光光度计、X射线光电子能谱、原子力显微镜、X射线衍射仪对薄膜的性能进行了测试。结果表明:随着基底温度的升高,TiAlC薄膜平均透射率逐渐降低,吸收边产生红移,光学带隙由2.56eV降低到0.61 eV;薄膜的沉积速率由0.09 nm/cycle升高到0.20 nm/cycle,表面粗糙度由1.82 nm降低到0.49 nm;不同基底温度下生长的薄膜均为无定型结构;膜层中的氧源于空气的自然氧化,且膜层的氧化程度与膜层中TiC的含量及膜层的致密性有关;TiAlC薄膜的形成主要源于高温条件下TiC的形成及三甲基铝的分解。